新光電気は、お客様の近未来のニーズを捉えた研究開発を行っております。
熱・機械特性、電気特性に優れた電子材料の開発からスタートし、めっき技術、精密加工技術、多層化技術などの多様な要素技術を組み合わせることにより、世界をリードする半導体パッケージを提供しております。
研究開発拠点である新光開発センターでは、電気・物理・化学など多様な観点から、基礎研究や素材・プロセス開発を行うとともに研究開発や製品化を加速させる分析評価技術、設計・解析技術の蓄積を行っています。
特に、設計と解析を同時に行う「コンカレント設計」によって、開発期間の短縮をはかり、お客様のスピーディーな商品化に貢献しています。
より高性能な半導体パッケージやインターコネクトの充実のために、電気、物理、化学などさまざまな角度から基礎研究を行っています。
ICチップの進化にともなって、新たに半導体パッケージ素材の開発が不可欠になっています。この観点から、ICチップの特性にマッチした耐熱高分子材料や有機電子材料など、熱・機械特性、電気特性に優れた新素材と新たな製造プロセスの開発に積極的に取り組んでいます。
素材の特性を活かすためには、評価解析・分析技術が必要です。新光電気は、EPMA、SEM、FIB-SEM、EBSD、X線解析装置をはじめ、電気特性評価用としてネットワーク・アナライザ、熱特性評価用として過渡熱抵抗測定システムなどの最新鋭の解析機器をとりそろえています。
製品の開発・設計に熱・機械特性、電気特性シミュレーション技術を用いることで、初期段階の構造設計から配線設計に至るまでの設計の完成度を飛躍的に高めることができます。これにより、開発期間の短縮、コスト低減および信頼性向上が可能となり、お客様にインターコネクト技術の最適ソリューションを提供いたします。さらに、材料特性の評価や完成品に対するさまざまな実測評価も行い、その結果をシミュレーションにフィードバックすることで設計・解析技術のレベルアップをはかり、ベストソリューションの提案に努めています。
